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还在为功率开关器件的效率与损耗权衡而烦恼吗？让STW26N60M2为您带来改变。这颗来自意法半导体MDmesh M2家族的600V N沟道MOSFET，凭借其极低的165毫欧导通电阻和优化的动态特性，能显著降低您电源或电机驱动应用中的导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让热量管理变得更轻松。

它专为高要求场景打造，20A的连续电流能力和169W的功率耗散，确保在高功率输出下依然稳定可靠。其快速的开关性能让您能够设计出更紧凑、响应更迅捷的电路。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能解决方案，STW26N60M2都是助您实现设计目标、赢得市场的得力伙伴。

• 型号:STW26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。