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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和出色效率的“心脏”吗？STF24N65M2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和16A的连续电流能力，其核心的MDmesh M2技术带来了低至230毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对苛刻的工业环境。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，确保了其在高温高功率下的长期可靠性。同时，优化的栅极电荷和电容参数，简化了您的驱动电路设计，提升了开关速度，帮助您实现更高频率和更紧凑的解决方案。选择STF24N65M2，就是为您的产品选择了一份强劲、可靠且高效的性能保障。

• 型号:STF24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。