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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STU6N95K5为您带来变革！这颗950V/9A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH5技术，能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的系统能效，并减少散热设计压力。

它拥有优异的动态特性，让您的电源或电机驱动实现更快速、更干净的开关，从而简化电路设计，提升功率密度。其坚固的构造和宽泛的工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定运行，让您轻松构建高可靠性的工业级或消费级产品。

• 型号:STU6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。