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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STF23NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和19.5A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和电容特性，让您能轻松实现更快的开关频率，从而简化磁性元件设计，助力产品小型化。高达150°C的结温额定值和TO-220FP的坚固封装，确保了它在严苛环境下的长期稳定工作。选择STF23NM60ND，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松驾驭从工业电源到能源基础设施的各种挑战。

• 型号:STF23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。