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您正在寻找一颗能轻松驾驭1200V高压、同时保持高效与可靠的功率开关吗？STW8N120K5正是您的理想答案。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，能为您提供高达6A的连续电流能力，并以极低的导通电阻（2Ω @ 10V）和栅极电荷（13.7nC），大幅降低开关损耗和驱动需求。

它让您在设计工业电源、新能源逆变器或电机驱动时，能够实现更高的功率密度和系统效率。其坚固的TO-247封装和130W的强大散热能力，确保了在-55°C至150°C的严酷温度下依然稳定工作，为您产品的长期可靠运行保驾护航。选择它，就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。