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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STB15NM60N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅299毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率大幅提升，直接转化为可观的节能效益和更小的散热设计压力。

它采用了ST先进的MDmesh II技术，优化了开关特性。较低的栅极电荷和输入电容意味着它开关速度更快、驱动更轻松，能有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统运行更安静、更稳定。无论是用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC），还是照明和工业控制，它都能让您轻松应对高压挑战，构建出更可靠、更紧凑的解决方案。

• 型号:STB15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB15NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。