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您正在设计需要处理数百伏电压和数十安培电流的功率电路吗？STF23NM60N就是为您实现高效、可靠功率转换的得力助手。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和19A的强大电流吞吐能力，让您轻松应对工业电机驱动、电源转换等应用的严苛要求。

它的核心魅力在于卓越的性能平衡。仅180毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升系统效率并减少发热。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更加迅速、干净，不仅降低了开关损耗，也让驱动电路的设计变得更简单。高达150°C的结温工作范围，更是赋予了它在高温环境下稳定运行的可靠性，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:STF23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF23NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。