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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的核心开关吗？STY112N65M5 N沟道MOSFET就是您的理想之选。它拥有650V的坚固耐压和高达96A的强大电流处理能力，专为应对严苛的工业与能源应用而设计。

这颗芯片的核心使命是让您的系统运行得更高效、更凉爽。其超低的导通电阻（典型值22mΩ）能显著减少传导损耗，而优化的动态特性则有助于降低开关损耗。这意味着您能够轻松提升电源的整机效率，实现更高的功率密度，同时简化散热设计，让产品在性能和可靠性上都脱颖而出。

• 型号:STY112N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:350 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY112N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。