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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的600V级IGBT吗？STGP10H60DF正是您的理想之选。它集成了先进的沟槽型场截止技术，旨在为您大幅降低系统能耗与发热。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达20A的连续电流与40A的脉冲电流，其低至1.95V的饱和压降和极低的开关能量（开启83J，关断140J），直接转化为更低的导通与开关损耗。这意味着您的电机驱动、UPS或太阳能逆变器能够运行得更凉爽、更高效，显著提升整体能效和功率密度。

凭借其快速的开关速度、优秀的散热能力（115W）以及宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），STGP10H60DF为您提供坚固耐用的性能基石，让复杂的高压功率应用设计变得简单而可靠。

• 型号:STGP10H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:83J（导通），140J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:57 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
• 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):107 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP10H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。