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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STF23NM50N正是为您而来的解决方案。这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V高压阻断能力和17A的连续电流承载能力，其核心魅力在于低至190毫欧的导通电阻。这意味着它能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升整机能效，减少散热成本。

更令人惊喜的是，它优化后的栅极电荷(Qg)和输入电容，让开关动作干净利落，有效减少开关损耗，提升系统响应速度。无论是用于PFC电路、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您的设计轻松应对高频率开关挑战。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，为您产品的耐用性提供了坚实保障。

• 型号:STF23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF23NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。