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还在为功率开关器件的效率和发热问题烦恼吗？STP76NF75正是为您而来的解决方案！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有75V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您降低能耗，提升产品竞争力。

它卓越的开关性能同样令人印象深刻。优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，能有效降低开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计。同时，其坚固的TO-220封装和高达300W的功率耗散能力，提供了出色的散热性和可靠性。无论是面对工业环境的严苛考验，还是追求消费电子产品的紧凑高效，STP76NF75都能让您的设计游刃有余，性能表现始终稳定如一。

• 型号:STP76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP76NF75，ST（意法半导体）产品一站式供应商。