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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时又能保持冷静高效的“功率开关”吗？STF21NM60N正是您的得力助手！这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流吞吐能力，能轻松应对严苛的开关环境。

它的核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅220毫欧）和优化的动态特性（如栅极电荷），这意味着它能显著降低您电源或驱动电路中的热量产生，直接提升系统整体能效。无论是构建更高效的开关电源，还是驱动电机平稳运行，它都能让您的设计更可靠、性能更出众。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STF21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。