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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STP85N3LH5正是您的理想之选！它能让您轻松驾驭高达80A的连续电流，凭借低至5.4毫欧的导通电阻，大幅减少导通损耗，直接提升系统的整体能效，让电能转换更加“冷静”高效。

这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和极优的开关特性。其低栅极电荷设计让驱动变得轻而易举，帮助您实现更快的开关频率，从而优化周边电感、电容的选型，助力您的电源或电机驱动方案变得更紧凑、更强大。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的核心动力。

• 型号:STP85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP85N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。