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还在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STF18N65M2正是为您而来。这颗基于先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和12A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，能够轻松应对高压挑战，同时享受低至330毫欧的导通电阻带来的高效能。

更令人惊喜的是，它极低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统开关频率可以更高，磁性元件体积更小，从而实现更紧凑、更轻量化的设计。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，让您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行，可靠性倍增。选择STF18N65M2，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STF18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。