我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD6N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用的效率瓶颈而烦恼吗？让STD6N80K5来为您破局！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和4.5A的电流能力，专为要求苛刻的开关模式电源和功率转换电路而生。

它的核心价值在于极低的功率损耗。1.6欧姆的导通电阻大幅降低了传导过程中的热量产生，而仅7.5nC的栅极电荷则显著提升了开关速度，减少了开关损耗。这意味着您能轻松构建出更高效、更凉爽、更可靠的电源系统，直接提升终端产品的能效等级和市场吸引力。

无论是反激式转换器、PFC电路还是电机驱动，STD6N80K5都能凭借其优异的电气特性、坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的设计游刃有余，高效达成性能目标。

• 型号:STD6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。