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还在为高压开关应用的效率瓶颈而烦恼吗？STP6NK90ZFP正是为您破局而来的利器。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和5.8A的电流处理能力，让您在设计高压电源、电机驱动或照明系统时，能够轻松实现高效、低损耗的功率切换。

它凭借低至2欧姆的导通电阻和优化的动态参数，显著降低了导通与开关损耗，直接为您带来更高的系统能效和更低的温升。其坚固的TO-220FP封装和宽温度范围，确保了在各种应用环境下的长期可靠性。选择STP6NK90ZFP，就是选择让您的产品性能更卓越、运行更稳定。

• 型号:STP6NK90ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP6NK90ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。