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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？STF13N60M2正是为您破解这一难题的利器。这颗基于先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源设计更高效、更可靠。

它通过显著降低导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），能大幅削减开关过程中的能量损耗，直接提升系统整体能效。同时，其优化的动态特性让开关更迅速、更干净，有助于减少电磁干扰（EMI）。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，STF13N60M2都能让您轻松构建出散热更佳、运行更稳定、寿命更长的优秀产品，助您在市场竞争中抢占先机。

• 型号:STF13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。