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还在为提升电源转换效率而绞尽脑汁吗？SCT10N120AG正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的1200V/12A碳化硅MOSFET，采用先进的SiCFET技术，旨在让您的设计彻底告别性能瓶颈。

它能让您轻松实现更高的开关频率和更低的能量损耗，从而打造出更高效、更紧凑的电源模块和电机驱动器。其车规级AEC-Q101认证和高达200°C的工作结温，确保了在电动汽车、工业自动化等苛刻应用中的卓越可靠性和长寿命。选择SCT10N120AG，就是选择以更少的损耗，释放更大的功率。

• 型号:SCT10N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT10N120AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。