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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、35A大电流的功率开关吗？STW43NM60ND正是您的理想之选。这颗采用意法半导体先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有低至88毫欧的优异导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更高效、更凉爽。

它具备强大的255W功率处理能力和高达150°C的结温，确保系统在严苛环境下依然稳定可靠。TO-247-3封装为您提供了出色的散热性能和便捷的安装方式。选择STW43NM60ND，就是为您的产品选择了一颗经过市场验证的强劲“心脏”，让您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STW43NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:145 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW43NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。