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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的“全能型”功率开关吗？STF12N60M2 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于ST先进的MDmesh M2技术打造，拥有600V高耐压和9A电流能力，专为要求苛刻的开关电源和电机控制应用而优化。

这颗芯片的核心价值在于其超凡的效率。极低的导通电阻（仅450毫欧）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷和电容特性则带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗。这两者结合，能显著降低系统整体温升，让您的设计更凉爽、更可靠。其TO-220FP封装确保了出色的散热性能，让您轻松应对高功率密度挑战。

总而言之，STF12N60M2旨在让您的电源转换和电机驱动方案更高效、更紧凑、更稳健，是提升产品市场竞争力的得力助手。

• 型号:STF12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。