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还在寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STW15NM60ND正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，底气十足，轻松应对高功率挑战。

它采用意法半导体先进的FDmesh II技术，将导通电阻显著降低，这意味着更少的能量损耗和更低的发热。同时，优化的动态参数帮助您实现更干净利落的开关动作，提升系统整体效率。无论是追求极致的能效，还是需要稳定的长期运行，它都能成为您电路中高效、可靠的能量开关。

• 型号:STW15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。