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您正在寻找一颗能扛起400V高压，同时开关利落、发热更少的功率开关吗？STP5NB40正是为此而生！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其PowerMESH技术，能轻松处理高达4.7A的连续电流，并以低至1.8欧姆的导通电阻，显著降低您在开关电源或电机驱动应用中的传导损耗，直接提升系统整体能效。

更令人称赞的是，它拥有优化的动态特性。较低的栅极电荷和输入电容，让开关过程快速而干净，极大减少了开关损耗，使您的设备运行更凉爽、更高效。TO-220AB封装提供了出色的散热能力，让您在设计散热方案时游刃有余。选择它，就是为您的功率电路选择了一份稳健与高效并重的保障。

• 型号:STP5NB40
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NB40，ST（意法半导体）产品一站式供应商。