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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压平台，同时保持高效开关性能的功率芯片？STF11NM80正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术，能为您提供高达11A的连续电流处理能力，并以低至400毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建更可靠的工业级电源、UPS、电焊设备或照明系统。其优化的动态特性有助于提升开关频率，从而减小外围磁性元件的体积和成本。坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定工作，显著提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STF11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。