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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的P沟道MOSFET吗？STD52P3LLH6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET H6技术打造，拥有30V的耐压和高达52A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关及导通过程中的功率损耗，直接提升您的电源系统或电机驱动方案的整机效率。

这颗芯片能让您轻松应对高电流密度设计的挑战。其优化的栅极电荷和低驱动电压特性，确保了快速、高效的开关性能，同时简化了驱动电路的设计难度。无论是用于同步整流、负载开关还是电池反接保护，STD52P3LLH6都能以稳定的表现和卓越的能效，助您打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。

• 型号:STD52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD52P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。