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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STF11NM60ND正是您期待的答案。这颗基于先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，其核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。它凭借低至450毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，同时优化的动态参数助力实现更快的开关速度，从而全面提升电源转换效率。

它将赋能您的设计，无论是开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动和照明解决方案。优异的性能让您轻松实现更高的功率密度和更小的系统体积，而坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围，则确保了其在各种应用环境下的长期可靠性。选择STF11NM60ND，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与高价值。

• 型号:STF11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。