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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而头疼吗？STS4C3F60L这颗双MOSFET阵列芯片，正是为您排忧解难的集成化利器。它将一个4A N沟道和一个3A P沟道MOSFET集成在微小的8-SOIC封装内，让您轻松实现紧凑的H桥或互补对称电路设计，极大节省PCB面积。

得益于其逻辑电平门控和低至55毫欧的导通电阻，您可以直接用微处理器引脚驱动，并获得极高的开关效率，显著降低功耗与发热。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的系统运行更凉爽、更高效、更可靠。

• 型号:STS4C3F60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A，3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS4C3F60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。