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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STH110N8F7-2正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的STripFET F7技术，旨在让您的电源设计突破瓶颈。

这颗N沟道MOSFET拥有80V的漏源电压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值远低于6.6毫欧），能显著减少传导损耗，让系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让您能够轻松实现更高频率的开关，从而缩小外围元件尺寸，打造出更紧凑、更具成本竞争力的电源模块。无论是驱动电机、管理电池，还是构建高密度电源，它都能让您的产品性能脱颖而出。

• 制造商产品型号：STH110N8F7-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• STH110N8F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。