我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF11N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭600V高压和10A电流，且损耗极低的功率开关？STF11N60DM2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh DM2技术，其核心价值在于让您的电源设计更高效、更紧凑。极低的导通电阻（典型值）意味着在导通时更少的能量以热量形式浪费，从而直接提升系统整体能效，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松构建高性能的开关电源、功率因数校正器和电机驱动器。其优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，确保了干净利落的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还降低了电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过认证。采用坚固的TO-220FP封装，它提供了出色的散热能力，确保在高功率应用中也能稳定运行。选择STF11N60DM2，就是选择用一颗芯片释放您设计的全部潜能。

• 型号:STF11N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。