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还在为高压开关应用的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让STU2NK100Z为您带来变革。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，集1000V高耐压、1.85A连续电流与超低栅极电荷于一身，专为高效、可靠的功率转换而设计。

它能让您的开关电源设计轻松实现更高的功率密度和能效，显著降低开关损耗和温升。其坚固的I-PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行，大幅提升系统寿命和可靠性。选择它，就是为您的下一个成功项目注入强大而高效的核心动力。

• 型号:STU2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。