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还在为提升电源系统的整体效率而苦苦寻觅关键元件吗？STE53NC50正是您期待的答案。这颗基于先进PowerMESH II技术的N沟道MOSFET，旨在让您轻松驾驭高达500V电压和53A电流的功率舞台。

它极低的导通电阻（80mΩ @27A,10V）和优化的栅极电荷（434nC @10V），能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电机驱动、电源转换或照明系统运行得更高效、更凉爽。其坚固的ISOTOP封装和宽广的工作温度范围（高达150°C结温），则确保了在 demanding 应用中的长期稳定与可靠，助您构建性能卓越且耐久的产品。

• 型号:STE53NC50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:434 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
• STE53NC50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。