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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让意法半导体的STE26NA90来为您破局！这颗高性能N沟道MOSFET，拥有高达900V的耐压和26A的电流处理能力，能轻松驾驭工业电源、电机驱动等高压大功率场景。

它的核心价值在于卓越的能效表现。其极低的导通电阻（仅300毫欧）能大幅减少开关过程中的能量损耗，直接帮助您的系统降低温升，提升整体效率。同时，优化的动态参数让驱动设计更简单，助您加速产品上市进程。

选择STE26NA90，就是为您的关键应用选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能保障，让您的设计在稳定与高效之间找到完美平衡。

• 型号:STE26NA90
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:660 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE26NA90，ST（意法半导体）产品一站式供应商。