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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且运行起来既凉爽又高效的功率开关吗？STB45N60DM2AG正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和高达34A的连续电流输送能力，其核心秘诀在于ST先进的MDmesh DM2技术，它能将导通电阻显著降低，从而让您在处理相同功率时，损耗更小，发热量大幅减少。

这意味着，在您的开关电源、电机驱动或逆变器设计中，集成STB45N60DM2AG可以让系统效率轻松提升。更低的栅极电荷确保了快速干净的开关动作，减少开关损耗，让整体运行更加安静高效。其汽车级（AEC-Q101）的可靠品质，让您无论是在严苛的工业环境还是追求极致稳定的汽车应用中，都能信心十足。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STB45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。