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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且效率出众的功率开关吗？STW29NK50ZD正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V/29A的强悍规格，其极低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松处理频繁的开关动作，其优异的栅极特性还有助于简化您的驱动电路设计。高达350W的耗散功率和宽广的工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的动力核心。

• 型号:STW29NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW29NK50ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。