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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STH110N10F7-2来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VII技术，旨在让您轻松驾驭高达110A的电流与100V的电压。其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅6.5mΩ），能显著减少导通损耗，直接将更多电能高效输送给负载，而非浪费在发热上。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计大电流开关电源、电机驱动或逆变器时，拥有一个更冷静、更高效的“心脏”。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，配合H2PAK封装出色的散热能力，让系统在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定输出高达150W的功率。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。

• 型号:STH110N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH110N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。