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还在为高功率应用的开关损耗和散热问题头疼吗？STE110NS20FD正是您的理想解决方案！这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和高达110A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅24毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通状态下的能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的ISOTOP封装，散热性能出众，结合500W的强大功率处理能力，让您在设计高功率密度产品时信心十足。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在高温环境下持续工作，它都能提供稳定可靠的性能，轻松提升您产品的整体能效和可靠性。

• 型号:STE110NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:504 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE110NS20FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。