我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP10P6F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、驱动更强劲负载的P沟道MOSFET吗？STP10P6F6正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET VI技术打造，拥有60V的漏源电压和10A的连续电流能力，而其核心魅力在于低至160毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷。

这意味着，这颗芯片能让您的设计轻松实现更低的导通损耗和更快的开关速度，从而显著提升整体能效，减少发热。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动桥臂还是负载开关，它都能确保高效、可靠的功率切换，让您的产品在性能和可靠性上赢得优势。

• 型号:STP10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。