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M59DR032EA10ZB6 零件图片(仅供参考)

M59DR032EA10ZB6
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M59DR032EA10ZB6 规格参数

您正在为项目寻找一颗稳定、高速的“程序仓库”吗?M59DR032EA10ZB6就是您的理想伙伴。这颗32Mb(2M x 16)的并行NOR闪存,能以高达100ns的速度响应您的每一次读写指令,让系统启动和运行如行云流水般高效。

它能在1.65V至2.2V的低电压下稳定工作,并经受-40°C到85°C的温度考验,为您在工业控制、汽车电子、网络设备等领域的应用提供坚固可靠的存储基石。其并行接口和成熟的工艺,让您的开发过程更加轻松顺畅,快速实现产品落地。

  • 制造商产品型号:M59DR032EA10ZB6
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:100ns
  • 访问时间:100ns
  • 电压-供电:1.65V ~ 2.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-LFBGA
  • M59DR032EA10ZB6,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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M59DR032EA10ZB6 基本参数:

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