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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STD9NM60N正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和6.5A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高功率挑战，同时将导通损耗降至最低。

它凭借低至745毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著提升系统的能源转换效率，减少发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是提升现有产品的性能，还是开发下一代高能效解决方案，STD9NM60N都是助您实现设计目标的可靠基石。

• 型号:STD9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。