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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STB120N4LF6正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有40V耐压和高达80A的电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4毫欧。这意味着它能大幅降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您提升产品续航或降低散热成本。

得益于Automotive AEC-Q101车规认证和先进的STripFET VI技术，它不仅能轻松应对汽车电机驱动、车载充电等严苛应用，同样也是工业电源、UPS系统和大电流DC-DC转换器的理想选择。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，开关更迅速。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。

• 型号:STB120N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB120N4LF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。