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您是否在寻找一颗能扛起高电压、大电流重任的功率开关？STP25NM50N正是您的得力助手！这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和22A的连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（仅140毫欧@11A,10V），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

得益于ST先进的MDmesh技术，它实现了出色的开关性能与低栅极电荷（84nC@10V）的平衡，让驱动设计更轻松。高达160W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种严苛环境下稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STP25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。