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STBR3012G2-TR 零件图片(仅供参考)

STBR3012G2-TR
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STBR3012G2-TR 规格参数

还在为电源设计中整流环节的效率和可靠性头疼吗?STBR3012G2-TR正是为您而来的高效解决方案。这颗来自ST意法半导体的30A/1200V整流桥,能在高负载下保持仅1.3V的超低正向压降,显著减少导通损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用坚固的D2PAK HV表面贴装封装,集高功率密度与出色散热能力于一身,轻松应对工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等严苛应用。其极低的反向泄漏特性,更进一步保障了系统的整体能效与稳定性。选择STBR3012G2-TR,就是选择用一颗芯片,轻松提升您整个电源设计的性能与可靠性。

  • 型号:STBR3012G2-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK HV
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STD 1200V 30A D2PAK HV
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 30 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK HV
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • STBR3012G2-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STBR3012G2-TR 基本参数:

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