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还在为寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益和高可靠性的射频放大芯片而烦恼吗？让PD20010-E来彻底改变您的设计体验！

这颗基于先进LDMOS技术的射频功率MOSFET，专为 demanding 应用而生。它能让您在高达2GHz的频率下，轻松获得10W的强劲输出功率和高达11dB的卓越增益，显著提升您系统的信号强度和覆盖能力。其40V的高额定电压和优化的PowerSO-10RF封装，确保了它在各种严苛环境下的高效与稳定运行。

简而言之，PD20010-E就是您实现高效、可靠射频功率放大的理想选择，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:PD20010-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD20010-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。