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您是否正在为寻找一款能大幅提升开关电源效率、同时简化散热设计的核心功率器件而烦恼？STD95N4LF3正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET III技术，在40V/80A的规格下，实现了惊人的低导通电阻（仅6毫欧@10V），能显著降低传导损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个参数出色的开关。优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，帮助您轻松应对高频应用，同时降低电磁干扰。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是电源开关，STD95N4LF3都能让您以更小的热设计余量，获得更稳定可靠的性能输出，是提升产品竞争力和能效等级的明智之选。

• 型号:STD95N4LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD95N4LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。