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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关解决方案吗？STP4NK60ZFP正是为您而来的答案。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和4A的强大电流处理能力，专为应对高效能量转换的挑战而设计。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，直接提升系统效率；优化的栅极电荷（Qg）让开关速度更快、驱动更轻松，有效降低开关损耗。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动高效的电机控制系统，它都能让您轻松实现更高的功率密度和更优异的热性能。

此外，其坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围（高达150°C结温），确保了在恶劣环境下依然稳定运行。选择STP4NK60ZFP，就是为您的产品选择了一份高效、可靠与耐久的承诺，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:STP4NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP4NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。