我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFILED625现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换效率不高而烦恼吗？STFILED625将彻底改变您的看法。这颗N沟道MOSFET拥有620V的高压阻断能力和4.5A的电流承载实力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻直接转化为更少的能量损耗，意味着更低的发热和更高的整体能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它专为要求严苛的场合打造。无论是应对频繁开关的应力，还是在-55°C到150°C的极端温度下，它都能稳定工作，确保系统长期可靠性。其优化的开关特性（如栅极电荷仅23nC）让驱动设计变得轻松，帮助您简化电路、加速产品上市。选择它，就是为您的核心功率模块选择了一位值得信赖的“高效能卫士”。

• 制造商产品型号：STFILED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 4.5A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
• STFILED625，ST（意法半导体）产品一站式供应商。