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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关和卓越可靠性的功率MOSFET吗？STP16N60M2正是为您而来！它基于意法半导体先进的MDmesh M2技术，拥有600V/12A的强劲规格，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时底气十足。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态参数。这意味着它能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，轻松满足日益严格的能效标准。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能稳定持久地工作，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:STP16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。