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您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、高效完成开关任务的功率芯片吗？STD9NM50N-1正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有5A的强劲电流输送能力，凭借其MDmesh技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对开关电源(SMPS)、照明镇流器、电机控制等应用中的高压开关挑战。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，从而提升整体系统频率和动态响应。高达70W的功率耗散能力和150°C的工作结温，为您提供了充裕的设计余量和可靠性保障，让您的产品在性能与耐用性上双双赢得优势。

• 型号:STD9NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD9NM50N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。