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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任，同时保持高效冷静的“核心引擎”吗？STD4NK60Z-1正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和4A的强大电流处理能力，专为要求苛刻的功率转换场景设计。

它采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，这意味着它能帮助您的电源或电机驱动系统大幅减少能量损耗，提升整体效率。更快的开关速度让响应更迅捷，而优异的散热特性（最大功耗70W）则确保了长期运行的稳定性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STD4NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD4NK60Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。