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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性与易驱动需求的功率开关吗？STD80N10F7正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的100V/70A N沟道MOSFET，凭借其标志性的STripFET VII技术，将导通电阻（Rds(on)）降至仅10毫欧，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案轻松实现更高的能效等级。

它拥有优化的栅极特性，仅需10V驱动电压，栅极电荷（Qg）低至45nC，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，系统响应更迅捷。无论是用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器还是电池管理，STD80N10F7都能提供稳定强劲的功率处理能力，其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种挑战性环境中都能可靠运行，助您打造出性能出众且耐久的产品。

• 型号:STD80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD80N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。