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还在为功率开关的效率瓶颈寻找突破吗？STB80NF55L-06T4就是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为要求严苛的高电流应用而生，它能轻松驾驭高达80A的连续电流和55V的电压，让您的大功率电源管理、电机驱动或负载开关设计变得前所未有的高效可靠。

它的核心使命是最大限度地减少能量损耗。凭借STripFET II技术的加持，其导通电阻极低，这意味着在导通时更少的功率以热量形式浪费，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的开关特性让您能够实现更高频率的操作，从而可以使用更小的外围磁性元件，助力打造更紧凑、更具成本竞争力的终端产品。

• 型号:STB80NF55L-06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55L-06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。